Arsenieto de gálio

Arsenieto de gálio
Nomes
Nome IUPAC	Arsenieto de gálio
Arsenieto de gálio Identificadores Número CAS 1303-00-0 PubChem 14770 Número RTECS LW8800000 SMILES   Ga#As
Arsenieto de gálio Propriedades Fórmula química GaAs Massa molar 144.645 g/mol Aparência Cristais cúbicos cinzentos Densidade 5.316 g/cm3 [1] Ponto de fusão 1238 °C (1511 K) Solubilidade em água < 0.1 g/100 ml (20 °C) Gap de energia 1.424 eV (300 K) Mobilidade 8500 cm2/(V*s) (300 K) Condutividade térmica 0.55 W/(cm*K) (300 K) Índice de refracção (nD) 3.3
Arsenieto de gálio Estrutura Estrutura cristalina Zinc Blende Grupo de espaço T2d-F-43m Geometria de coordenação Tetraedro Forma molecular Linear
Arsenieto de gálio Riscos associados MSDS External MSDS Classificação UE Tóxico (T) Perigoso ao meio ambiente (N) NFPA 704 1 3 2   Frases R R23/25, R35 Frases S S1/2, S20/21, S28, S45, S60, S61
Arsenieto de gálio Compostos relacionados Compostos relacionados Arsenieto de alumínio e gálio Arsenieto de índio e gálio Fosfeto de arsenieto de gálio
Página de dados suplementares
Estrutura e propriedades	n, εr, etc.
Dados termodinâmicos	Phase behaviour Solid, liquid, gas
Dados espectrais	UV, IV, RMN, EM
Exceto onde denotado, os dados referem-se a materiais sob condições normais de temperatura e pressão. Referências e avisos gerais sobre esta caixa. Alerta sobre risco à saúde.

Arsenieto de gálio é composto químico sintético, de fórmula mínima GaAs. É material semicondutor de interesse da indústria eletrônica/informática, muito utilizado na construção de circuitos integrados.

O arsenieto de gálio é obtido na forma de lâminas, a partir da combinação dos elementos químicos constituintes, arsênio e gálio, e permite, segundo a Revista da Siemens, a fabricação dos chips mais rápidos do mundo, os quais, embora mais caros do que os que utilizam substrato de apenas silício, são muito mais velozes na transmissão de informações, além de possibilitar uma redução significativa nos tamanhos dos equipamentos.

Referências