Antimoneto de índio

Antimoneto de índio
Nomes
Nome IUPAC	Antimoneto de índio
Antimoneto de índio Identificadores Número CAS 1312-41-0 PubChem 3468413 ChemSpider 2709929 Número RTECS NL1105000 SMILES   [In]#[Sb]
Antimoneto de índio Propriedades Fórmula química InSb Massa molar 236,58 g/mol Aparência Cristais metálicos, cinza escuro Densidade 5,775 g·cm-3 Ponto de fusão 527 °C, Gap de energia 0.17 eV Mobilidade 7.7 mC s g-1 (27 °C) Condutividade térmica 180 mW K-1 cm-1 (27 °C) Índice de refracção (nD) 4.0
Antimoneto de índio Estrutura Estrutura cristalina Zincblende Grupo de espaço T2d-F-43m Geometria de coordenação Tetraedral
Antimoneto de índio Riscos associados Classificação UE Danoso (Xn), Danoso ao meio ambiente (N) Frases R R20/22, R51/53 Frases S S61
Página de dados suplementares
Estrutura e propriedades	n, εr, etc.
Dados termodinâmicos	Phase behaviour Solid, liquid, gas
Dados espectrais	UV, IV, RMN, EM
Exceto onde denotado, os dados referem-se a materiais sob condições normais de temperatura e pressão. Referências e avisos gerais sobre esta caixa. Alerta sobre risco à saúde.

Antimoneto de índio (InSb) é um composto cristalino de índio (In) e antimônio (Sb). É um material semicondutor de pequeno GAP do grupo III-V empregado em detectores infravermelhos, como os utilizados em câmeras termográficas e na astronomia infravermelha, com sensibilidade entre 1–5 µm de comprimento de onda. Cristais de InSb têm sido crescidos por resfriamento lento do material liquefeito há quase sessenta anos.^[1]

InSb tem a aparência de pedaços ou particulados de metal cinza-escuro prateados com um brilho vitroso. Quando submetidos a temperaturas acima de 500 °C, ele derrete e se decompõe, liberando vapores de antimônio e óxido de antimônio.

InSb é um semicondutor de GAP pequeno com valores de 0.17 eV a 300 K e 0.23 eV a 80 K. A estrutura cristalina é tipo blenda de zinco com um parâmetro de rede de 0.648 nm.^[2]

Detectores de fotodiodo de antimoneto de índio são de natureza fotovoltaica, gerando corrente elétrica quando submetidos a radiação infravermelha. Esses detectores necessitam de calibração periódica, o que resulta em maior complexidade nos sistemas de imagem em que são utilizados. Essa complexidade adicional é compensada quando uma maior sensibilidade é necessária, como em sistemas de imagens térmicas de longa distância. O resfriamento desses sistemas também é necessário pois eles necessitam de temperaturas criogênicas para operarem adequadamente (tipicamente 80 K).^[3]

• Detectores térmicos por fotodiodos ou eletromagnetos;
• Sensores de campo magnético por magnetorresistência;
• Transístores mais rápidos.